Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов 2-е изд. испр.
Книга "Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов 2-е изд. испр."
Издатель: Техносфера
Год издания 2011
Страниц: 800
ISBN: 978-5-94836-289-2
Описание
В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей вузов.
Характеристики
- Наименование Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов 2-е изд. испр.
- Категория Книги/Профессиональная литература/Автоматика. Радиоэлектроника. Связь
- Издатель Техносфера
- Год издания 2011
- Всего страниц 800
- ISBN 978-5-94836-289-2
- Способ получения Доставка, самовывоз
- Тип Книга
- Продавец Читай-город
- Оригинальная цена 1499 RUB
- Актуальность 05.11.2026
Еще в этой категории
Другие интернет-магазины
